前沿技术多点突破 原始创新厚积薄发 中国半导体研究与工艺跃迁全球视野

Abstract

本期《技术纵横——技术深度》聚焦于 2025年夏季我国半导体与前沿科技领域涌现的一系列重大原始创新与关键技术突破，展现出从材料、器件到工艺的全面进展。

岳麓山实验室段曦东团队于《Science》发表二维半导体超掺杂新策略，突破传统介电极限， 为高性能电子器件开辟全新路径；长春应化所开发双自由基分子材料，大幅提升钙钛矿电池效率与稳定性；平煤神马实现 8N8超高纯度碳化硅粉体量产，打破国际垄断。与此同时，深圳平台激光剥离技术达到国际先进水平，显著降低 SiC器件成本；中山大学研制出高保真度量子纠缠光源， 为光量子芯片奠定基础；华工科技联合中科大揭示紫外激光退火机理，推动化合物半导体工艺自主化。

这些成果为构建自主可控技术体系和未来产业竞争力提供坚实支撑。